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拾起了曾经别人放弃的技术？

　　当我第一次看到3D XPoint的技术解析时，隐约想起了在2011年时我写过的一篇文章，分析当时市场内并不靠谱的存储技术，其中闪迪的cross-point技术是其中之一，在2008年的时候，闪迪提出了通过降低传统DRAM的电阻来制造全新的存储介质，而这种电阻式存储已经在过去的几年中投入了生产，是投产，不是量产。

　　在接下来的几年中，东芝和闪迪宣布正在研究cross point存储RAM芯片。2013年，两家公司在国际固态电路研讨会上证明了这一技术，而之后IBM也在这种电阻式存储上有所进展。

　　所以3D XPoint并不是一个标新立异的技术突破，而是将之前已经提出的技术方向进行了实质性的改变，intel与美光此次发布最大的优势在于他们到底是使用什么样的材质材料进行研发的，他们对这一点只字不提。

　　国外媒体分析3D XPoint采用了某种独特的化合物材料，从而塑造出特殊的cross-point架构，密度比常见的存储高出数十倍，跟相变存储相比它的扩展方式更多。另外美光也提到，3D XPoint是通过电压来调整电阻，而非晶体管，这样在成本上也有很大程度的降低。新架构和新的神秘材料成就了英特尔和美光光引以为豪的3D XPoint。

技术的提出与技术的落地是两回事

　　诸如此类的新技术在当前的硬件革新时代层出不穷，但更多的技术仍然停留在概念上，这也导致市场和消费者对厂商所谓的创新突破并不感冒。正如08年闪迪提出的cross-point的一样，7年时间过去了，我们仍然在市场中见不到所谓这种创新存储技术的产品，那么这种无谓的提出就是毫无意义的。

　　那么此次intel和美光能否把3D XPoint技术落地是我们真正关心的，intel也表示基于此技术的相关产品会在2016年推出，所以我们到那个时候才能够看到这项技术的具体表现。

　　那么我们也来分析一下，全新的存储介质带来的市场改变会是什么样的。前面提到了，3D XPoint并不是改变当前的内存DRAM市场，它的目标是当前的移动存储设备以及大型数据中心市场。在数据量和效率需求日益倍增的当前，这种技术带来的容量和性能倍增将会为PC、移动电脑、手机和穿戴设备带来更多的可能性，在移动数据时代，巨大的需求量的确给予了存储厂商很大的动力，因为他们和我们都能够看到巨大的潜力市场，这就是新技术要发力的点。