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　　【PConline 杂谈】7月29日一早，intel和美光紧急召集了国内的媒体，对外发布了两家携手开发的最新存储介质：3D XPoint，并宣称这项技术在速度及耐用性方面，对比当前存储介质，均实现了最高可达1000倍的提升。此外，相比传统存储器，该存储器技术的存储容量密度也提升高达10倍。

　　如果只看字面的意思，这将是一个惊人且充满想象力的消息，可究竟3D XPoint是什么，对于当前的存储介质而言，这项新技术真的能够颠覆当前闪存在速度和耐用性上的存储地位么？

硝烟再起? 解析intel与美光3D XPoint技术

　　在简短的发布会上，intel与美光并未透露过多技术细节，甚至可以说什么都没有讲，人们被勾起的好奇心却从发布会当中找不到任何的技术源头，但外媒在当天第一时间对这项技术进行了猜测和解析，谈到3D XPoint架构会是一种全新大容量存储介质，用介质来形容它要比技术更为准确，用最简短的一句话来形容：3D XPoint是介于内存DRAM与闪存NAND Flash之间的一种全新介质，比DRAM要慢，但它比DRAM要便宜，比NAND要快，但是比NAND要贵，最重要的是它是非易失性的。所以，断电之后数据不丢失。

intel与美光拒绝透露神秘的材料

　　3D XPoint虽然宣布正在准备大规模生产，但美光和intel都拒绝透露技术细节。不说用的什么材料，不公布性能参数，只是表示很快就有样品亮出，双方还都表示2016年才会正式推出这一产品。

　　美光唯一表示技术细节的描述谈到：3D XPoint将会比DRAM慢五到八倍。这意味着它不可能改变内存计算那种应用场景，也就是说无法取代内存DRAM，更加针对的是当前的NAND闪存市场。3D XPoint跟常规的2D平面NAND的容量差不多，但比DRAM的密度高出十倍。意味着美光和英特尔的闪存产品的密度上将保持优势。

拾起了曾经别人放弃的技术？

　　当我第一次看到3D XPoint的技术解析时，隐约想起了在2011年时我写过的一篇文章，分析当时市场内并不靠谱的存储技术，其中闪迪的cross-point技术是其中之一，在2008年的时候，闪迪提出了通过降低传统DRAM的电阻来制造全新的存储介质，而这种电阻式存储已经在过去的几年中投入了生产，是投产，不是量产。

　　在接下来的几年中，东芝和闪迪宣布正在研究cross point存储RAM芯片。2013年，两家公司在国际固态电路研讨会上证明了这一技术，而之后IBM也在这种电阻式存储上有所进展。

　　所以3D XPoint并不是一个标新立异的技术突破，而是将之前已经提出的技术方向进行了实质性的改变，intel与美光此次发布最大的优势在于他们到底是使用什么样的材质材料进行研发的，他们对这一点只字不提。

　　国外媒体分析3D XPoint采用了某种独特的化合物材料，从而塑造出特殊的cross-point架构，密度比常见的存储高出数十倍，跟相变存储相比它的扩展方式更多。另外美光也提到，3D XPoint是通过电压来调整电阻，而非晶体管，这样在成本上也有很大程度的降低。新架构和新的神秘材料成就了英特尔和美光光引以为豪的3D XPoint。

技术的提出与技术的落地是两回事

　　诸如此类的新技术在当前的硬件革新时代层出不穷，但更多的技术仍然停留在概念上，这也导致市场和消费者对厂商所谓的创新突破并不感冒。正如08年闪迪提出的cross-point的一样，7年时间过去了，我们仍然在市场中见不到所谓这种创新存储技术的产品，那么这种无谓的提出就是毫无意义的。

　　那么此次intel和美光能否把3D XPoint技术落地是我们真正关心的，intel也表示基于此技术的相关产品会在2016年推出，所以我们到那个时候才能够看到这项技术的具体表现。

　　那么我们也来分析一下，全新的存储介质带来的市场改变会是什么样的。前面提到了，3D XPoint并不是改变当前的内存DRAM市场，它的目标是当前的移动存储设备以及大型数据中心市场。在数据量和效率需求日益倍增的当前，这种技术带来的容量和性能倍增将会为PC、移动电脑、手机和穿戴设备带来更多的可能性，在移动数据时代，巨大的需求量的确给予了存储厂商很大的动力，因为他们和我们都能够看到巨大的潜力市场，这就是新技术要发力的点。

　　除了便携设备，目前的数据中心以及大型服务器机房对于性能需求更高，但同时对于成本的控制也十分严格，3D XPoint更像是一个折中的方案，或者是一个全新的数据中心存储构架的方向，如果实现大规模量产，对于当前的数据中心采用DRAM来进行高性能计算，运行一些IO密集型的应用程序，还有一些怕因为断电丢失数据的应用场景。有了XPoint存储后，一些高性能处理不必完全依靠DRAM了，同时他的高容量也解放了许多NAND闪存。

　　一个看上去，听上去都很美的未来。

总结：数据时代 性能需求>容量需求

　　写到这里，我由衷的希望intel和美光的此次技术发布不是纸上谈兵，一来当前的存储市场，传统硬盘进入饱和期，闪存市场也有着颇多的变数，需要新的介质加入来中和这样的局势，二来，在数据时代，人们对于存储的需求，对性能的要求一定是大于容量的，闪存逐步取代传统硬盘的步伐节奏已经确定，但面对成本市场而言，这一道瓶颈不知道仍然需要多少年才能真正迈过去。

　　存储技术是当前科技产业最底层的技术支柱，它的一丝一毫的改变将影响到你周围大大小小的电子设备，速度提升将影响SATA接口的必要改变，容量的提升将智能手机以及穿戴设备进入更高的领域，这些即将改变的事情，是我们期待看到的。