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【PConline 杂谈】7月29日一早，intel和美光紧急召集了国内的媒体，对外发布了两家携手开发的最新存储介质：3D XPoint，并宣称这项技术在速度及耐用性方面，对比当前存储介质，均实现了最高可达1000倍的提升。此外，相比传统存储器，该存储器技术的存储容量密度也提升高达10倍。 如果只看字面的意思，这将是一个惊人且充满想象力的消息，可究竟3D XPoint是什么，对于当前的存储介质而言，这项新技术真的能够颠覆当前闪存在速度和耐用性上的存储地位么？ 本篇文章部分技术材料借鉴：computerworld 原文链接 在简短的发布会上，intel与美光并未透露过多技术细节，甚至可以说什么都没有讲，人们被勾起的好奇心却从发布会当中找不到任何的技术源头，但外媒在当天第一时间对这项技术进行了猜测和解析，谈到3D XPoint架构会是一种全新大容量存储介质，用介质来形容它要比技术更为准确，用最简短的一句话来形容：3D XPoint是介于内存DRAM与闪存NAND Flash之间的一种全新介质，比DRAM要慢，但它比DRAM要便宜，比NAND要快，但是比NAND要贵，最重要的是它是非易失性的。所以，断电之后数据不丢失。
intel与美光拒绝透露神秘的材料 3D XPoint虽然宣布正在准备大规模生产，但美光和intel都拒绝透露技术细节。不说用的什么材料，不公布性能参数，只是表示很快就有样品亮出，双方还都表示2016年才会正式推出这一产品。 美光唯一表示技术细节的描述谈到：3D XPoint将会比DRAM慢五到八倍。这意味着它不可能改变内存计算那种应用场景，也就是说无法取代内存DRAM，更加针对的是当前的NAND闪存市场。3D XPoint跟常规的2D平面NAND的容量差不多，但比DRAM的密度高出十倍。意味着美光和英特尔的闪存产品的密度上将保持优势。
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