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2020-07-05 00:15 出处:PConline原创 作者:奔跑的柯基 责任编辑:yueyang

  [PConline 资讯] 一直以来,科学家正在努力,希望开发出下一代数据存储材料,以提高现有存储速度。

  近日,一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维(2D)金属芯片,其厚度仅三个原子,其可代替硅芯片存储数据,且比硅芯片更密集、更小、更快,也更节能,同时储存速度提高了100倍之多。

  研究人员对二碲化钨薄层结构施加微小电流,使其奇数层相对于偶数层发生稳定的偏移,并利用奇偶层的排列来存储二进制数据。数据写入后,他们再通过一种称为贝利曲率的量子特性,在不干扰排列的情况下读取数据。

  与现有的基于硅的数据存储系统相比,新系统具有巨大优势——它可以将更多的数据填充到极小的物理空间中,并且非常节能。此外,其偏移发生得如此之快,以至于数据写入速度可以比现有技术快100倍。

  最后,对超薄层进行非常小的调整,就会对它的功能特性产生很大的影响,而人们可以利用这一知识来设计新型节能设备,以实现可持续发展和更智慧的未来存储方式。

 
可以让储存速度提高100倍?2D金属芯片了解下
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