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【PConline 资讯】近两年3D NAND发展速度十分迅猛，2018年各大厂商的之间的堆叠大战一直在进行着，目前市场中的主流产品堆叠层数各家基本持平，都保持在64层的阶段。但是这一平衡即将被打破，三星电子宣布第五代V-NAND 3D堆叠闪存已经开始量产，其堆叠层数达到96层，堆叠层数为业界最高。
三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存采用的是TLC颗粒，内部包含超过850亿个3D TLC CTF存储单元，每个单元可以存储三位数据，核心容量为256GB，虽然没有容量方面没有夸张式的增长，但是性能表现却十分惊人。 首先，三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。其写入速度为500us，比前代64层堆栈的V-NAND 3D堆叠闪存快了30%的同时，读取响应速度缩至50us。工作电压由上一代的1.8V优化至1.2V，极大的降低了实际的功耗。 此外，三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存在生产工艺方面也做出了改进，全新的工艺将没个单元高度降低了20%减少了单元之间的干扰，让数据交换处理变得更加有效率，一系列改进促使其生产效率提高了30%。 据了解，三星目前正在全力扩大第五代V-NAND 3D堆叠闪存的生产线以增加产量。另外还有消息称，三星正在计划开发1TB（128GB）容量的QLC V-NAND闪存颗粒，来降低超大容量的SSD产品售价，以满足服务器、超算等高密度存储领域需求。 |
