三星推比外置存储卡快10倍的新一代eMMC

2012-11-15 11:42:58  来源:pconline 原创  作者:佚名  责任编辑:ranguang 

  【PConline 资讯】2012年11月15日,三星电子正式推出了基于1x纳米(1x纳米, 10纳米级)高速NAND闪存技术开发的世界最高速64GB内嵌式存储器(eMMC,embedded Multi Media Card)。eMMC是针对目前日益扩大的智能手机、平板电脑等移动设备市场而推出的存储类存储器。

  据介绍,三星电子基于从10月开始正式量产的1x纳米 64GB高速NAND技术,从11月开始正式推出三星电子专用规格产品—‘64GB eMMC Pro Class 2000‘。该产品的性能与采用最新标准的eMMC4.5接口‘64GB eMMC Pro Class 1500’相比提高了30%。此次推出的64GB eMMC产品采用了三星电子专用规格—eMMC标准。预计,该标准将主导2013年会登记到固态技术协会(JEDEC)的新一代高性能存储技术的标准。

  ‘64GB eMMC Pro Class 2000’产品的任意书写速度提高到2,000 IOPS(Input and outputs per second)、任意读取速度提高到5,000 IOPS。尤其,连续读取速度、书写速度各为260MB/s(Megabyte per second), 50MB/s。该速度与高速外置存储卡Class 10的读取速度24MB/s、书写速度12MB/s相比快10倍以上。

  三星电子存储器事业部营销部金明镐常务表示:“此次,三星电子通过推出专用规格的新一代内嵌式存储,进一步强化了移动存储解决方案的竞争力。今后,还通过与应用处理器厂商的技术合作确保丰富的产品阵容,让移动设备厂商能够及时推出更加便捷的的新一代系统。”

  2011年5月,三星电子在业内首次量产采用超高速NAND闪存规格Toggle DDR(Double Data Rate) 2.0的2y 纳米64GB MLC(Multi Level Cell)NAND闪存产品。此后,2012年11月开始,三星电子正式量产了通过现有的20纳米级NAND闪存技术的兼容性,能够提高30%生产性的1x纳米级 64GB NAND闪存产品。2011年7月,三星电子正式量产了基于2y纳米级高速NAND技术采用eMMC4.5标准的‘64GB eMMC Pro Class 1500’。此后,仅5个月的时间内,三星电子又推出了基于1x纳米64GB 高速NAND技术的新一代‘64GB eMMC Pro Class 2000’产品群。

  此外,三星电子预计2013年通过推出128GB大容量产品,欲打造业界最大eMMC阵容。从2012年开始,三星电子将迅速扩大10纳米级64GB NAND闪存的产量,到2014年预计能抢占50%以上的NAND闪存市场。

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