正在阅读:喜讯:我国自主研发成功38nm NAND闪存芯喜讯:我国自主研发成功38nm NAND闪存芯

2014-09-12 10:39 出处:PConline原创 作者:EXIT 责任编辑:shengyongzhen

  【PConline 资讯】喜讯!中芯国际(SMIC)今天宣布,完全自主研发的38nm NAND闪存工艺已经准备就绪,凭此成为国内唯一一家可为客户生产NAND产品的代工厂。

  据悉,中芯国际的38nm闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网(IOT)、电视及机顶盒等应用领域,也可用于串行外设接口SPI NAND。

nand

  在此之前,中芯国际已经连续开发出了130nm、65nm等工艺的特殊NOR闪存平台,后续还会继续研发2x/1xnm NAND、3D NAND等先进工艺。

  虽然中芯国际的技术和当前国际主流的20/19nm NAND闪存差了一大截,东芝、美光等的16/15nm NAND也都开始量产了,但这毕竟是中芯国际的“第一次”,已经是中国自主研发芯片的一次飞跃,后续也值得期待。

pconlinesmb

 
比特币“10周年”了 你最大的感受是什么? 企业办公环境的最大杀手 文印的安全值得重视 同是原厂连供 四大喷墨厂商到底有何不同 深不可测的黑产 原来都是用这些工具搞事? 商务投影新标杆 明基无线智能旗舰E580评测

为您推荐

加载更多
加载更多
加载更多
加载更多
加载更多
加载更多
加载更多
加载更多
加载更多

网络设备论坛帖子排行

最高点击 最高回复 最新
最新资讯离线随时看 聊天吐槽赢奖品