正在阅读:一骑绝尘 三星96层3D V-NAND闪存开始量产一骑绝尘 三星96层3D V-NAND闪存开始量产

2018-07-11 00:15 出处:PConline原创 作者:sing 责任编辑:xuxiaobing

  【PConline 资讯】近两年3D NAND发展速度十分迅猛,2018年各大厂商的之间的堆叠大战一直在进行着,目前市场中的主流产品堆叠层数各家基本持平,都保持在64层的阶段。但是这一平衡即将被打破,三星电子宣布第五代V-NAND 3D堆叠闪存已经开始量产,其堆叠层数达到96层,堆叠层数为业界最高。

  三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存采用的是TLC颗粒,内部包含超过850亿个3D TLC CTF存储单元,每个单元可以存储三位数据,核心容量为256GB,虽然没有容量方面没有夸张式的增长,但是性能表现却十分惊人。

  首先,三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口,传输速率提升至1.4Gbps,与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。其写入速度为500us,比前代64层堆栈的V-NAND 3D堆叠闪存快了30%的同时,读取响应速度缩至50us。工作电压由上一代的1.8V优化至1.2V,极大的降低了实际的功耗。

  此外,三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存在生产工艺方面也做出了改进,全新的工艺将没个单元高度降低了20%减少了单元之间的干扰,让数据交换处理变得更加有效率,一系列改进促使其生产效率提高了30%。

  据了解,三星目前正在全力扩大第五代V-NAND 3D堆叠闪存的生产线以增加产量。另外还有消息称,三星正在计划开发1TB(128GB)容量的QLC V-NAND闪存颗粒,来降低超大容量的SSD产品售价,以满足服务器、超算等高密度存储领域需求。

 
专为电影而生 奥图码HE3101影吧投影机评测 超千流明普及型新品 极米无屏电视H2 Slim评测 看似普通的A4纸 其尺寸为何如此“怪异”? 当人工智能画作首次拍卖 艺术还只是人类专属么? Google推出“七夕”限时关卡 还不快去刷!

为您推荐

加载更多
加载更多
加载更多
加载更多
加载更多
加载更多
加载更多
加载更多
加载更多

网络设备论坛帖子排行

最高点击 最高回复 最新
最新资讯离线随时看 聊天吐槽赢奖品